Объем накопителя 512 ГБ
Форм-фактор 2280
Физический интерфейс PCI-E 3.x x4
Ключ M.2 разъема NVMe
Количество бит на ячейку 3 бит TLC
Структура памяти 3D NAND
Показатели скорости
Максимальная скорость последовательного чтения
2130 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
1720 Мбайт/сек
Максимальный ресурс записи (TBW) 300 ТБ
DWPD 0.54